氧缺位对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体中临界电流密度和磁弛豫行为的影响
张宏 ; 吴鸿 ; 刘亦军 ; 曾飞
刊名低温物理学报
1993
期号06
ISSN号1000-3258
中文摘要用磁化曲线和磁驰豫测量研究了缺氧YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体中氧缺位对磁通行为的影响。实验表明:在低氧缺位时临界电流密度随氧缺位x的增加稍有增加,且随磁场的增加出现一高起的平面,当氧缺位x进一步增加,临界电流密度下降,且随磁场增加单调下降。零场冷却(ZFC),升场至固定磁场后磁化强度随时间依半对数关系衷减,磁通蠕动的热激活能随氧缺位x的增加而下降。
语种中文
公开日期2012-03-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105200]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
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GB/T 7714
张宏,吴鸿,刘亦军,等. 氧缺位对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体中临界电流密度和磁弛豫行为的影响[J]. 低温物理学报,1993(06).
APA 张宏,吴鸿,刘亦军,&曾飞.(1993).氧缺位对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体中临界电流密度和磁弛豫行为的影响.低温物理学报(06).
MLA 张宏,et al."氧缺位对YBa_2Cu_3O_(7-x)超导体中临界电流密度和磁弛豫行为的影响".低温物理学报 .06(1993).
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