亚ns高速双极IC的薄层外延

	亚ns高速双极IC的薄层外延
	何德湛 ; 谢明纲 ; 陈明琪 ; 吴佛春
刊名	微电子学与计算机
	1987
期号	05
ISSN号	1000-7180
中文摘要	本文主要介绍采用较简便的装置及适当的方法,制得几乎无层错、约2μm 厚的薄外延层,从而制造出每门延迟为0.3～0.8n(?) 的高速双极IC.文中还给出用C-V,C-t 法检测外延片的情况.
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105153]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	何德湛,谢明纲,陈明琪,等. 亚ns高速双极IC的薄层外延[J]. 微电子学与计算机,1987(05).
APA	何德湛,谢明纲,陈明琪,&吴佛春.(1987).亚ns高速双极IC的薄层外延.微电子学与计算机(05).
MLA	何德湛,et al."亚ns高速双极IC的薄层外延".微电子学与计算机 .05(1987).