小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能

	小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能
	王文骐 ; 杨新民 ; 陆祝平 ; 朱文玉
刊名	电子科学学刊
	1985
期号	05
ISSN号	1009-5896
中文摘要	本文报道了UHF频段小型低噪声GaAs MESFET放大器的设计考虑、射频性能和试验结果。采用特殊的匹配网络和CAD技术使电路达到小型化和最佳化。设计的二级700MHz和三级1000MHz放大器均制作在50×60×0.8mm~3的陶瓷基片上。其射频性能分别为:功率增益G_P为25dB(最佳29dB)和30dB,噪声系数NF低于1.1dB(最佳0.8dB)和1.2dB,带宽W约为40MHz(3dB)和100MHz(1dB)。用700MHz放大器装成的卫星直播电视接收机,接收图像清晰,伴音音质良好。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105112]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	王文骐,杨新民,陆祝平,等. 小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能[J]. 电子科学学刊,1985(05).
APA	王文骐,杨新民,陆祝平,&朱文玉.(1985).小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能.电子科学学刊(05).
MLA	王文骐,et al."小型超高频低噪声FET放大器的设计和性能".电子科学学刊 .05(1985).