双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管中与氧有关能级的测量

	双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管中与氧有关能级的测量
	吴征 ; 周炳林 ; 张桂成
刊名	发光学报
	1987
期号	02
ISSN号	1000-7032
中文摘要	用DLTS和单次脉冲瞬态电容技术研究了液相外延生长的双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管,掺Si的n-Al_(0.05)Ga_(0.95)As有源层中的深能级。着重分析了一个与氧有关的电子陷阱,其发射激活能为E_C-E_D=0.29eV。我们发现该电子陷阱随正向注入脉冲宽度tp的增加DLTS峰向低温移动,即在确定的温度下发射率随tp的增加而增加。用DLTS首次测得该能级的俘获瞬态谱,发现俘获峰随反向撤空脉冲宽度t_R的增加向低温端移动,即在确定的温度下俘获率随t_R的增加而增加,并且俘获激
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104896]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	吴征,周炳林,张桂成. 双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管中与氧有关能级的测量[J]. 发光学报,1987(02).
APA	吴征,周炳林,&张桂成.(1987).双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管中与氧有关能级的测量.发光学报(02).
MLA	吴征,et al."双异质结Al_xGa_(1-x)As/GaAs发光管中与氧有关能级的测量".发光学报 .02(1987).