砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性

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	砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性
	赵军 ; 李向阳 ; 陆慧庆 ; 胡晓宁 ; 李言谨 ; 方家熊
刊名	红外与激光工程
	1999
期号	06
ISSN号	1007-2276
中文摘要	最近，选用Ｎ型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ）作衬底，成功制备了平面ＰｏｎＮ结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ结采用砷掺杂在Ｎ型衬底上形成Ｐ区，砷掺杂由砷离子注入加上退火扩散形成。对ＰｏｎＮ二极管的电流电压关系温度特性的研究表明：直到１４０Ｋ，长波（λｃ＝９．１μｍ）ＰｏｎＮ结的暗电流以扩散电流为主。制备了从中波到长波各个波段的碲镉汞ＰｏｎＮ结构红外探测器。目前，对于λｃ＝５．２μｍ的器件，Ｒ０Ａ
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104835]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵军,李向阳,陆慧庆,等. 砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性[J]. 红外与激光工程,1999(06).
APA	赵军,李向阳,陆慧庆,胡晓宁,李言谨,&方家熊.(1999).砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性.红外与激光工程(06).
MLA	赵军,et al."砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性".红外与激光工程 .06(1999).