全耗尽CMOS／SIMOX器件研制

	全耗尽CMOS／SIMOX器件研制
	李金华 ; 姜美芬 ; 蒋美萍 ; 林成鲁
刊名	微细加工技术
	1996
期号	03
关键词	K1 SIMOX材料 CMOS器件全耗尽结构
ISSN号	10038213
中文摘要	在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104704]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李金华,姜美芬,蒋美萍,等. 全耗尽CMOS／SIMOX器件研制[J]. 微细加工技术,1996(03).
APA	李金华,姜美芬,蒋美萍,&林成鲁.(1996).全耗尽CMOS／SIMOX器件研制.微细加工技术(03).
MLA	李金华,et al."全耗尽CMOS／SIMOX器件研制".微细加工技术 .03(1996).