全耗尽CMOS/SIMOX器件研制 | |
李金华 ; 姜美芬 ; 蒋美萍 ; 林成鲁 | |
刊名 | 微细加工技术
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1996 | |
期号 | 03 |
关键词 | K1 SIMOX材料 CMOS器件 全耗尽结构 |
ISSN号 | 10038213 |
中文摘要 | 在表层硅厚度为180um的SIMOX材料上,用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为2.5μm的全耗尽CMOS/SIMOX器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平,使PMCOS和NMOS的漏电分别达到3.O×10-11A/μm和2.2×10-10A/μm。5V时,例相器的平均延迟时间达6ns。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104704] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金华,姜美芬,蒋美萍,等. 全耗尽CMOS/SIMOX器件研制[J]. 微细加工技术,1996(03). |
APA | 李金华,姜美芬,蒋美萍,&林成鲁.(1996).全耗尽CMOS/SIMOX器件研制.微细加工技术(03). |
MLA | 李金华,et al."全耗尽CMOS/SIMOX器件研制".微细加工技术 .03(1996). |
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