不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究

	不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究
	李传海 ; 毛友德 ; 丁勇 ; 刘汝萍 ; 夏冠群
刊名	半导体情报
	2001
期号	01
ISSN号	1001-5007
中文摘要	分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104480]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李传海,毛友德,丁勇,等. 不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究[J]. 半导体情报,2001(01).
APA	李传海,毛友德,丁勇,刘汝萍,&夏冠群.(2001).不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究.半导体情报(01).
MLA	李传海,et al."不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究".半导体情报 .01(2001).