半导体的CO_2激光退火和合金化

	半导体的CO_2激光退火和合金化
	邹世昌 ; 林成鲁
刊名	物理学报
	1982
期号	08
ISSN号	1000-3290
中文摘要	本文主要研究连续CO_2激光对半导体的照射效应。实验结果与理论分析说明,用连续CO_2激光照射可将半导体样片加热到所需的温度。与其它短波长的激光不同,波长为10.6μm的连续CO_2激光照射半导体有如下特点:CO_2激光是借助于自由载流子吸收与半导体耦合;样片在深度方向被均匀加热;激光背面照射可以增强退火效果。连续CO_2激光照射可以固相外延再生长的方式使As离子注入Si的损伤层退火恢复。在再生长的过程中注入的As离子进入替位,电激活率很高,而且不发生杂质再分布。将连续CO_2激光背面照射成功地应用于Ga
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104412]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	邹世昌,林成鲁. 半导体的CO_2激光退火和合金化[J]. 物理学报,1982(08).
APA	邹世昌,&林成鲁.(1982).半导体的CO_2激光退火和合金化.物理学报(08).
MLA	邹世昌,et al."半导体的CO_2激光退火和合金化".物理学报 .08(1982).