γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响 | |
林成鲁 ; 李金华 ; 金雨青 ; 林梓鑫 ; 邹世昌 | |
刊名 | 核技术
![]() |
1991 | |
期号 | 01 |
ISSN号 | 0253-3219 |
中文摘要 | 利用N~+注入形成的SIMNI与激光再结晶的SOI材料制作了MOS器件,比较研究了~(60)Co γ射线辐照对两种SOI材料制作的MOS器件电学性能的影响。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104395] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,李金华,金雨青,等. γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响[J]. 核技术,1991(01). |
APA | 林成鲁,李金华,金雨青,林梓鑫,&邹世昌.(1991).γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响.核技术(01). |
MLA | 林成鲁,et al."γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响".核技术 .01(1991). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论