γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响

	γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响
	林成鲁 ; 李金华 ; 金雨青 ; 林梓鑫 ; 邹世昌
刊名	核技术
	1991
期号	01
ISSN号	0253-3219
中文摘要	利用N~+注入形成的SIMNI与激光再结晶的SOI材料制作了MOS器件,比较研究了~(60)Co γ射线辐照对两种SOI材料制作的MOS器件电学性能的影响。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104395]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	林成鲁,李金华,金雨青,等. γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响[J]. 核技术,1991(01).
APA	林成鲁,李金华,金雨青,林梓鑫,&邹世昌.(1991).γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响.核技术(01).
MLA	林成鲁,et al."γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响".核技术 .01(1991).