SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响

	SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响
	周江云 ; 李琼 ; 徐静芳 ; 茅东升 ; 柳襄怀
刊名	华东师范大学学报(自然科学版)
	2000
期号	02
ISSN号	1000-5641
中文摘要	该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104288]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	周江云,李琼,徐静芳,等. SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响[J]. 华东师范大学学报(自然科学版),2000(02).
APA	周江云,李琼,徐静芳,茅东升,&柳襄怀.(2000).SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响.华东师范大学学报(自然科学版)(02).
MLA	周江云,et al."SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响".华东师范大学学报(自然科学版) .02(2000).