Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响

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	Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响
	李冠雄 ; 沈鸿烈 ; 沈勤我 ; 李铁 ; 邹世昌
刊名	中国科学E辑:技术科学
	2000
期号	01
ISSN号	11-3757/N
中文摘要	用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Si为过渡层的Co/Cu/Co三明治膜 .研究了不同厚度的Si过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响 ,发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到 0 .9nm时表现出明显的各向异性 ,而过渡层厚度小于0 .9nm时基本上呈各向同性 .巨磁电阻的各向异性行为可由三明治膜的平面内磁各向异性解释 .在Si过渡层和金属Co层的界面处相互扩散形成具有 ( 3 0 1)择优取向的Co2 Si诱导了三明治膜的这种各向异性 ,还研究了三明治膜晶体结构与Si过渡层厚度的关系 .
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104259]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李冠雄,沈鸿烈,沈勤我,等. Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响[J]. 中国科学E辑:技术科学,2000(01).
APA	李冠雄,沈鸿烈,沈勤我,李铁,&邹世昌.(2000).Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响.中国科学E辑:技术科学(01).
MLA	李冠雄,et al."Si过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻效应的影响".中国科学E辑:技术科学 .01(2000).