SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究

	SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究
	林成鲁 ; 俞跃辉 ; 方子韦 ; 张顺开 ; 倪如山 ; 邹世昌 ; 李金华 ; P.L.F.Hemment
刊名	中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学)
	1990
期号	09
ISSN号	1006-9232
中文摘要	本文研究了利用大剂量的N~+和O~+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法.
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104240]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	林成鲁,俞跃辉,方子韦,等. SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究[J]. 中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学),1990(09).
APA	林成鲁.,俞跃辉.,方子韦.,张顺开.,倪如山.,...&P.L.F.Hemment.(1990).SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究.中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学)(09).
MLA	林成鲁,et al."SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究".中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学) .09(1990).