Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响

	Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响
	牛蒙年 ; 丁辛芳 ; 童勤义
刊名	半导体学报
	1996
期号	07
ISSN号	02534177
中文摘要	在表面基模型理论基础上，本文研究了含两种表面基的Ｓｉ３Ｎ４绝缘体材料及其两种表面基（硅醇基和胺基）的比例系数对ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件敏感特性的影响．在硅醇基／胺基＝７／３附近时，得到电解液一绝缘体（Ｅ－Ｉ）界面势对ｐＨ值的灵敏度最大，且线性响应范围宽；两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响ｐＨ－ＩＳＦＥＴ器件的敏感响应和稳定特性．理论结果与实验观测结果相符，为进一步探索提高ｐＨ－ＩＳＦＥＴ传感器敏感特性的方法提供理论依据．
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104231]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛蒙年,丁辛芳,童勤义. Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响[J]. 半导体学报,1996(07).
APA	牛蒙年,丁辛芳,&童勤义.(1996).Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响.半导体学报(07).
MLA	牛蒙年,et al."Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH－ISFET器件敏感特性的影响".半导体学报 .07(1996).