Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响 | |
牛蒙年 ; 丁辛芳 ; 童勤义 | |
刊名 | 半导体学报
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1996 | |
期号 | 07 |
ISSN号 | 02534177 |
中文摘要 | 在表面基模型理论基础上,本文研究了含两种表面基的Si3N4绝缘体材料及其两种表面基(硅醇基和胺基)的比例系数对pH-ISFET器件敏感特性的影响.在硅醇基/胺基=7/3附近时,得到电解液一绝缘体(E-I)界面势对pH值的灵敏度最大,且线性响应范围宽;两种表面基的总数密度及其比值的稳定程度直接影响pH-ISFET器件的敏感响应和稳定特性.理论结果与实验观测结果相符,为进一步探索提高pH-ISFET传感器敏感特性的方法提供理论依据. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104231] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛蒙年,丁辛芳,童勤义. Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响[J]. 半导体学报,1996(07). |
APA | 牛蒙年,丁辛芳,&童勤义.(1996).Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响.半导体学报(07). |
MLA | 牛蒙年,et al."Si_3N_4绝缘栅中两种表面基对pH-ISFET器件敏感特性的影响".半导体学报 .07(1996). |
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