Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火

	Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火
	方芳 ; S.S.Lau
刊名	中国激光
	1990
期号	S1
关键词	K1 欧姆接触比接触电阻率激光退火
ISSN号	0258-7025
其他题名	T1 Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火
中文摘要	利用连续Ar~+激光对淀积在砷化镓上的Si/Pd进行退火,形成Si/Pd_2Si/GaAs(6.9×10~(17)cm~(-3))接触,得到了比接触电阻率为2.75×10~(-6)Ω·cm~2的非合金欧姆接触。经410℃,8小时,形成气中退火后表明:激光退火形成的欧姆接触具有良好的热稳定性。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104230]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	方芳,S.S.Lau. Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火[J]. 中国激光,1990(S1).
APA	方芳,&S.S.Lau.(1990).Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火.中国激光(S1).
MLA	方芳,et al."Si/Pd/GaAs欧姆接触的激光退火".中国激光 .S1(1990).