p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性

	p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性
	张桂成 ; 水海龙
刊名	电子科学学刊
	1984
期号	02
ISSN号	1009-5896
中文摘要	<正> (一)引言近年来InP在光电和微波器件中的应用已引起广泛重视。对InP的欧姆接触和肖特基势垒已有报道,这些结果表明,φ_(Bp)较φ_(Bn)大,n-InP的比接触电阻较p-lnP的低。以InP为衬底的多层结构器件中,表面层有时是p-InP,因此研究p-InP与接触金属界面上的冶金行为和电学特性,对改善器件参数和提高器件的可靠性有实际意义。对p-InP与接触金属Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇电子能谱(AES)和电子探针(EP)进行的研究结果。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104192]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成,水海龙. p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性[J]. 电子科学学刊,1984(02).
APA	张桂成,&水海龙.(1984).p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性.电子科学学刊(02).
MLA	张桂成,et al."p-InP/TiPdAu体系的冶金行为和电学特性".电子科学学刊 .02(1984).