PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用

	PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用
	祖继锋 ; 耿完桢 ; 洪晶 ; 余宽豪 ; 江志庚 ; 李志彭 ; 陈学良
刊名	光学学报
	1995
期号	07
ISSN号	02532239
中文摘要	研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104183]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	祖继锋,耿完桢,洪晶,等. PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用[J]. 光学学报,1995(07).
APA	祖继锋.,耿完桢.,洪晶.,余宽豪.,江志庚.,...&陈学良.(1995).PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用.光学学报(07).
MLA	祖继锋,et al."PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用".光学学报 .07(1995).