O~+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究

	O~+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究
	曾建明 ; 林成鲁 ; 郑立荣
刊名	压电与声光
	1999
期号	03
ISSN号	1004-2474
中文摘要	研究了Ｈ＋注入对ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）铁电薄膜的晶体结构和电学性质的影响，并与含氢气氛退火作了比较，进而研究了Ｏ＋注入对ＳＢＴ铁电薄膜电学性质的影响。发现室温Ｏ＋注入，由于较严重的晶格损伤的存在，ＳＢＴ铁电薄膜的电学性能退化严重，而热靶Ｏ＋注入有助于克服氢对ＳＢＴ铁电薄膜的影响。
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104173]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	曾建明,林成鲁,郑立荣. O~+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究[J]. 压电与声光,1999(03).
APA	曾建明,林成鲁,&郑立荣.(1999).O~+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究.压电与声光(03).
MLA	曾建明,et al."O~+注入SrBi_2Ta_2O_9铁电薄膜的研究".压电与声光 .03(1999).