n/n~+GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析

	n/n~+GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析
	陈朝 ; 沈顗华 ; 闵惠芳 ; 王振英 ; 王兴达 ; 杨倩忠
刊名	厦门大学学报(自然科学版)
	1987
期号	03
ISSN号	0438-0479
中文摘要	本文采用等光强表面光伏法对掺锡的n/n~+GaAS液相外延层空穴扩散长度Lp和施主浓度N_D。关系作了测量,求得可供器件设计参考的经验公式.把Lp换算为空穴寿命τ_p后,用公式τ_p~(-1)=τ_(HSP)~(-1)+Brn+Cn n~2拟合了τ_p和电子浓度n的关系曲线,算出由带隙内复合中心所决定的少子寿命τHSR、带间辐射复合系数Br和带间俄歇复合系数Cn。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104124]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈朝,沈顗华,闵惠芳,等. n/n~+GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析[J]. 厦门大学学报(自然科学版),1987(03).
APA	陈朝,沈顗华,闵惠芳,王振英,王兴达,&杨倩忠.(1987).n/n~+GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析.厦门大学学报(自然科学版)(03).
MLA	陈朝,et al."n/n~+GaAs LPE层中L_P-N_D关系的测量和分析".厦门大学学报(自然科学版) .03(1987).