LSI中的金属化工艺 | |
谢明纲 | |
刊名 | 半导体技术
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1990 | |
期号 | 04 |
ISSN号 | 1003-353X |
中文摘要 | 钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104064] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢明纲. LSI中的金属化工艺[J]. 半导体技术,1990(04). |
APA | 谢明纲.(1990).LSI中的金属化工艺.半导体技术(04). |
MLA | 谢明纲."LSI中的金属化工艺".半导体技术 .04(1990). |
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