LSI中的金属化工艺

	LSI中的金属化工艺
	谢明纲
刊名	半导体技术
	1990
期号	04
ISSN号	1003-353X
中文摘要	钨丝加热法蒸发纯Al,采用“U”型状,在我国首先研制出双极LSI。为了缩小芯片面积,防止浅结漂发射区工艺纯Al布线后造成EB结短路,研制成功钨丝加热法蒸发Al-Si薄膜。为进一步缩小芯片面积,采用双层布线工艺,又研制成功钨丝加热法蒸发Al-Cu-Si合金膜。本文主要介绍三种薄膜蒸发工艺及应用。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104064]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	谢明纲. LSI中的金属化工艺[J]. 半导体技术,1990(04).
APA	谢明纲.(1990).LSI中的金属化工艺.半导体技术(04).
MLA	谢明纲."LSI中的金属化工艺".半导体技术 .04(1990).