InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散

	InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散
	李维旦 ; 潘慧珍
刊名	电子科学学刊
	1987
期号	06
ISSN号	1009-5896
中文摘要	为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性仍很好。应用该法研究了低温条件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的扩散行为。实验首次发现,Zn在InGaAsP材料中的扩散速率与材料中P含量的平方成正比。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104005]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李维旦,潘慧珍. InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散[J]. 电子科学学刊,1987(06).
APA	李维旦,&潘慧珍.(1987).InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散.电子科学学刊(06).
MLA	李维旦,et al."InP/InGaAs(P)材料中的低温开管Zn扩散".电子科学学刊 .06(1987).