HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化

	HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化
	陆德仁 ; 王缨 ; 王其闵
刊名	半导体学报
	1983
期号	03
ISSN号	0253-4177
中文摘要	用Q-t,TVS,C-V和TSIC方法研究了HCl氧化物MOS结构中的钠离子纯化和陷阱能量分布.在含有很干燥的 0-10％ HCl的氧气氛中进行硅的热氧化,温度 1160℃,时间35分钟,然后制成MOS结构.当钠的沾污范围为10~(11)到2.5 ×10~(15)离子/厘米~2时,大于4％的HCl氧化物的钝化效率为 99.5％到 99.99％。在 HCl MOS结构的硅边有两种陷阱态:带电态和中性态,中性态的陷阱能量依赖于HCl的浓度和BTS处理时的温度和电场强度.
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103966]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陆德仁,王缨,王其闵. HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化[J]. 半导体学报,1983(03).
APA	陆德仁,王缨,&王其闵.(1983).HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化.半导体学报(03).
MLA	陆德仁,et al."HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化".半导体学报 .03(1983).