HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化 | |
陆德仁 ; 王缨 ; 王其闵 | |
刊名 | 半导体学报
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1983 | |
期号 | 03 |
ISSN号 | 0253-4177 |
中文摘要 | 用Q-t,TVS,C-V和TSIC方法研究了HCl氧化物MOS结构中的钠离子纯化和陷阱能量分布.在含有很干燥的 0-10% HCl的氧气氛中进行硅的热氧化,温度 1160℃,时间35分钟,然后制成MOS结构.当钠的沾污范围为10~(11)到2.5 ×10~(15)离子/厘米~2时,大于4%的HCl氧化物的钝化效率为 99.5%到 99.99%。在 HCl MOS结构的硅边有两种陷阱态:带电态和中性态,中性态的陷阱能量依赖于HCl的浓度和BTS处理时的温度和电场强度. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103966] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆德仁,王缨,王其闵. HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化[J]. 半导体学报,1983(03). |
APA | 陆德仁,王缨,&王其闵.(1983).HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化.半导体学报(03). |
MLA | 陆德仁,et al."HCl氧化物MOS结构中钠离子的钝化".半导体学报 .03(1983). |
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