GD Si:H薄膜的结构和电传导性质 | |
沈宗雍 ; 吴汝麟 ; 何宇亮 | |
刊名 | 半导体学报
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1983 | |
期号 | 03 |
ISSN号 | 0253-4177 |
中文摘要 | 用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质. |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103955] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈宗雍,吴汝麟,何宇亮. GD Si:H薄膜的结构和电传导性质[J]. 半导体学报,1983(03). |
APA | 沈宗雍,吴汝麟,&何宇亮.(1983).GD Si:H薄膜的结构和电传导性质.半导体学报(03). |
MLA | 沈宗雍,et al."GD Si:H薄膜的结构和电传导性质".半导体学报 .03(1983). |
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