GD Si:H薄膜的结构和电传导性质

	GD Si:H薄膜的结构和电传导性质
	沈宗雍 ; 吴汝麟 ; 何宇亮
刊名	半导体学报
	1983
期号	03
ISSN号	0253-4177
中文摘要	用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随T_s升高而长大.实验结果表明:未掺杂的微晶薄膜(平均晶粒大小d<200 (A\|°)),如同无定形的Si:H 薄膜一样能够用Mott-Danis公式来解释它们的电传导性质.
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103955]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	沈宗雍,吴汝麟,何宇亮. GD Si:H薄膜的结构和电传导性质[J]. 半导体学报,1983(03).
APA	沈宗雍,吴汝麟,&何宇亮.(1983).GD Si:H薄膜的结构和电传导性质.半导体学报(03).
MLA	沈宗雍,et al."GD Si:H薄膜的结构和电传导性质".半导体学报 .03(1983).