GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析

	GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析
	郑胜男 ; 阎建华 ; 王豫生 ; 李跃鑫 ; 谢宝珍 ; 莫培根
刊名	核技术
	1985
期号	06
ISSN号	0253-3219
中文摘要	<正> 中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103942]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	郑胜男,阎建华,王豫生,等. GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析[J]. 核技术,1985(06).
APA	郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢宝珍,&莫培根.(1985).GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析.核技术(06).
MLA	郑胜男,et al."GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析".核技术 .06(1985).