GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析 | |
郑胜男 ; 阎建华 ; 王豫生 ; 李跃鑫 ; 谢宝珍 ; 莫培根 | |
刊名 | 核技术
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1985 | |
期号 | 06 |
ISSN号 | 0253-3219 |
中文摘要 | <正> 中子嬗变掺杂是一种新掺杂方法,能将掺杂剂均匀分布引入晶体内。如GaAs在热中子作用下其同位素被激活为放射性核素,β衰变后变成稳定的Ge和Se,在此晶体作为施主杂质。辐照中晶格原子受到高能粒子的反冲,使晶格结构紊乱,经退火得到恢复后,杂质原子才能起载流子作用。将未掺杂的GaAs单晶在轻水堆中照射,冷却后的晶体按〈100〉定向切片,经抛光清洁处理后在氢气氛下进行等时(30分钟)不同温度400—800℃的热退火。利用1.5MeV |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103942] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑胜男,阎建华,王豫生,等. GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析[J]. 核技术,1985(06). |
APA | 郑胜男,阎建华,王豫生,李跃鑫,谢宝珍,&莫培根.(1985).GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析.核技术(06). |
MLA | 郑胜男,et al."GaAs中子嬗变掺杂热退火的沟道效应分析".核技术 .06(1985). |
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