GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察

	GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察
	陈新之 ; 孙体忠 ; 乔墉
刊名	半导体学报
	1982
期号	02
ISSN号	0253-4177
中文摘要	<正> 一、引言 GaAs-GaAlAs双异质结激光器(以下简称 GaAlAs DH激光器)的退化是人们很关心的问题.现在看来,器件退化主要有二种形式:快退化和慢退化.GaAlAs DH激光器有源区暗线的增长是器件快退化的主要原因之一.暗线的形成一般在几分钟到几十小时,因此在器件短期老化后如能方便地对器件内部发光情况进行观察并结合进行如阈值、微分量子效率、热阻、伏安特性等测试,将有助于器件退化原因的分析,有利于改进外延与制
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103912]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈新之,孙体忠,乔墉. GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察[J]. 半导体学报,1982(02).
APA	陈新之,孙体忠,&乔墉.(1982).GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察.半导体学报(02).
MLA	陈新之,et al."GaAs-GaAlAs DH激光器暗线(DLD)的观察".半导体学报 .02(1982).