GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究

	GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究
	逄永秀 ; 陈瑞璋 ; 朱黎明
刊名	电子技术
	1980
期号	12
ISSN号	1000-0755
中文摘要	<正> 作为光通信系统的光源发光二极管(LED)具有价廉、可靠和发射功率随温度变化不大等优点,所以在很多系统中得到广泛应用。为了实现可靠的光通信系统,GaAs-Ga_(1-α)Al_αAsLED在高电流密度下工作时的退化是近年来国际上颇感兴趣的研究课题之一。本文研究了小面积高辐射度GaAs-Ga_(1-α)Al_αAs双异质结(DH)LED的退化现象,讨论退化的几种形式和可能的原因,提出了影响退化的主要因素和改进意见。一、实验方法实验所用的小面积高辐射度GaAs-Ga_(1-α)Al_αAs发光二极管是双
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103910]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	逄永秀,陈瑞璋,朱黎明. GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究[J]. 电子技术,1980(12).
APA	逄永秀,陈瑞璋,&朱黎明.(1980).GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究.电子技术(12).
MLA	逄永秀,et al."GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结发光二极管退化的研究".电子技术 .12(1980).