GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量

	GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量
	肖宗耀 ; 沈彭年 ; 吴冠群
刊名	半导体光电
	1981
期号	02
ISSN号	1001-5868
中文摘要	<正> 一、引言GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器的热阻R_T是一个重要的热学参数。它将影响发光管的输出功率,激光器的阈值电流密度,决定着器件在室温下连续工作的寿命。通常,热阻大的器件,由于结区温度高,器件很容易退化烧毁,寿命短;热阻小的器件,结区温度低,器件能够长寿命地连续工作。热阻的定义:R_T=(T_J-T_(HS)/P),T_J是结区温度,T_(Hs)是热沉温度,它等于环境温度,P是器件的注入电功率。因此,对热阻R_T的测
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103908]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	肖宗耀,沈彭年,吴冠群. GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量[J]. 半导体光电,1981(02).
APA	肖宗耀,沈彭年,&吴冠群.(1981).GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量.半导体光电(02).
MLA	肖宗耀,et al."GaAs/GaAlAs双异质结发光管和激光器热阻的测量".半导体光电 .02(1981).