GaAs 中杂质—空位对在生长无位错单晶中的作用

	GaAs 中杂质—空位对在生长无位错单晶中的作用
	莫培根
刊名	人工晶体
	1982
期号	Z1
ISSN号	1000-985X
中文摘要	<正> 本文根据 Swaminathn 等提出的在掺 Si 的 GaAs 晶体中,静态的 Si_(sa)V_(Gi)络合物与运动位错的交互作用,能增强晶体的屈服应力的论点,在分析了生长无位错掺 Si 单晶的基础上,进而从杂质及其与点缺陷的相互作用,对各类掺杂剂的“掺杂效应”进行讨论。研究结果表明,“掺杂效应”因掺杂剂而异。n 型掺杂效果显著,等电子杂质有一定作用,而 p 型掺杂效果较差,其顺序大致可归纳成三类:(Si,S)>(Se,Te,Al,N)>(Zn)。对“掺杂效应”的一些解释(如单键能模型,弹性失
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103900]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	莫培根. GaAs 中杂质—空位对在生长无位错单晶中的作用[J]. 人工晶体,1982(Z1).
APA	莫培根.(1982).GaAs 中杂质—空位对在生长无位错单晶中的作用.人工晶体(Z1).
MLA	莫培根."GaAs 中杂质—空位对在生长无位错单晶中的作用".人工晶体 .Z1(1982).