Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率
闵惠芳 ; 杨倩志 ; 王振英 ; 王兴达 ; 陈朝
刊名太阳能学报
1987
期号03
ISSN号0254-0096
中文摘要本文报道了PNN和PPNN结构的Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中P-GaAs有源区的少子扩散长度与电池效率之间的关系,讨论了杂质、缺陷和结深等有关因素对少子扩散长度的影响。同时对L_n与V_(oc、I_(sc)和FF等电池参数间的关系也略加讨论。研制出效率达20.1%(AM1)的太阳电池。
语种中文
公开日期2012-03-29
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103884]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
闵惠芳,杨倩志,王振英,等. Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率[J]. 太阳能学报,1987(03).
APA 闵惠芳,杨倩志,王振英,王兴达,&陈朝.(1987).Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率.太阳能学报(03).
MLA 闵惠芳,et al."Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率".太阳能学报 .03(1987).
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