Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率 | |
闵惠芳 ; 杨倩志 ; 王振英 ; 王兴达 ; 陈朝 | |
刊名 | 太阳能学报
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1987 | |
期号 | 03 |
ISSN号 | 0254-0096 |
中文摘要 | 本文报道了PNN和PPNN结构的Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中P-GaAs有源区的少子扩散长度与电池效率之间的关系,讨论了杂质、缺陷和结深等有关因素对少子扩散长度的影响。同时对L_n与V_(oc、I_(sc)和FF等电池参数间的关系也略加讨论。研制出效率达20.1%(AM1)的太阳电池。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103884] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 闵惠芳,杨倩志,王振英,等. Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率[J]. 太阳能学报,1987(03). |
APA | 闵惠芳,杨倩志,王振英,王兴达,&陈朝.(1987).Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率.太阳能学报(03). |
MLA | 闵惠芳,et al."Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs太阳电池材料中少子扩散长度与太阳电池效率".太阳能学报 .03(1987). |
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