FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究

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	FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究
	赵建平 ; 王曦 ; 陈智颖 ; 杨石奇 ; 柳襄怀 ; 施天生
刊名	中国科学E辑:技术科学
	1997
期号	03
ISSN号	1006-9275
中文摘要	利用真空磁过滤弧沉积(FAD)技术制备得到了无氢的非晶碳膜.由于非晶碳膜中数量极高的四面体键(sp~3键)的存在,这种非晶碳膜也可被称作非晶金刚石薄膜.报道了这种非晶金刚石膜的场电子发射特性,并对其能带结构和发射机理进行了研究.实验结果表明,在阈值电场为15V/μm的情况下,测得的场发射电流超过20μA,薄膜的电子发射行为符合Fowler-Nordheim场发射理论.非晶金刚石膜具有负电子亲合势和较小的有效功函数.如此低的阈值电场和高的发射电流,表明这种非晶金刚石薄膜的场电子发射性能已达到甚至超过目前文献
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103864]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵建平,王曦,陈智颖,等. FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究[J]. 中国科学E辑:技术科学,1997(03).
APA	赵建平,王曦,陈智颖,杨石奇,柳襄怀,&施天生.(1997).FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究.中国科学E辑:技术科学(03).
MLA	赵建平,et al."FAD非晶金刚石薄膜的场电子发射性能研究".中国科学E辑:技术科学 .03(1997).