F~++B~+双注入浅结研究 | |
李金华 ; 林成鲁 ; 冒建军 ; 何建军 ; 邹世昌 | |
刊名 | 半导体学报
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1994 | |
期号 | 10 |
ISSN号 | 02534177 |
中文摘要 | 对不同条件的F++B+双注入样品和对应能量的B+和BF2+注入样品,作1100℃.10秒的瞬时热退火,然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深.结果显示,用1×115/cm2的F+预注入能有效地抑制低能B+注入的沟道效应,获得陡直的浅结.对样品的结特性测试表明,F++B+双注入样品的结漏电与B+注入样品一致,小于对应能量的BF2+注入样品.RBS/C分析表明,只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区,就能抑制低能B+注入的沟道效应,并非必需使衬底达到预非晶状态 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103863] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李金华,林成鲁,冒建军,等. F~++B~+双注入浅结研究[J]. 半导体学报,1994(10). |
APA | 李金华,林成鲁,冒建军,何建军,&邹世昌.(1994).F~++B~+双注入浅结研究.半导体学报(10). |
MLA | 李金华,et al."F~++B~+双注入浅结研究".半导体学报 .10(1994). |
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