F~＋＋B~＋双注入浅结研究

	F~＋＋B~＋双注入浅结研究
	李金华 ; 林成鲁 ; 冒建军 ; 何建军 ; 邹世昌
刊名	半导体学报
	1994
期号	10
ISSN号	02534177
中文摘要	对不同条件的Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品和对应能量的Ｂ＋和ＢＦ２＋注入样品，作１１００℃．１０秒的瞬时热退火，然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深．结果显示，用１×１１５／ｃｍ２的Ｆ＋预注入能有效地抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应，获得陡直的浅结．对样品的结特性测试表明，Ｆ＋＋Ｂ＋双注入样品的结漏电与Ｂ＋注入样品一致，小于对应能量的ＢＦ２＋注入样品．ＲＢＳ／Ｃ分析表明，只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区，就能抑制低能Ｂ＋注入的沟道效应，并非必需使衬底达到预非晶状态
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103863]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	李金华,林成鲁,冒建军,等. F~＋＋B~＋双注入浅结研究[J]. 半导体学报,1994(10).
APA	李金华,林成鲁,冒建军,何建军,&邹世昌.(1994).F~＋＋B~＋双注入浅结研究.半导体学报(10).
MLA	李金华,et al."F~＋＋B~＋双注入浅结研究".半导体学报 .10(1994).