Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件

	Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件
	沈宗雍 ; 林成鲁 ; 邹世昌 ; 薛自
刊名	电子学报
	1986
期号	02
ISSN号	0372-2112
中文摘要	在Ar~+激光再结晶多晶硅岛上制备出的CMOS/SOI器件,性能良好。N沟和P沟MOSFE7在沟道长度为4μm时,低场电子和空穴表面迁移串分别为510cm~2/V.s和142cm~2/V.s;CMOS六倒相器有好的静态和瞬态特性;CMOS九级环形振荡器P沟负载管和N沟输入管的W/L分别为112μm/6μm和52μm/6μm,其最小传输延时为2.8ns/级,最小延迟功耗乘积为2.6pJ/级。速度性能优于同尺寸的体硅CMOS器件。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103754]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	沈宗雍,林成鲁,邹世昌,等. Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件[J]. 电子学报,1986(02).
APA	沈宗雍,林成鲁,邹世昌,&薛自.(1986).Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件.电子学报(02).
MLA	沈宗雍,et al."Ar~+激光再结晶多晶硅薄膜制备CMOS/SOI器件".电子学报 .02(1986).