AlGaN/GaN异质结2DEG载流子输运

	AlGaN/GaN异质结2DEG载流子输运
	姚微 ; 曹俊诚 ; 雷啸霖
刊名	功能材料与器件学报
	1999
期号	03
ISSN号	1007-4252
中文摘要	本文采用雷丁平衡方程理论，考虑杂质散射、声学波形变势散射、声学波压电散射、极化光学波散射等散射机制，计算了ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结二维电子气（２ＤＥＧ）在０３００Ｋ温度范围内的低场迁移率以及电子漂移速度和电子温度随外加电场的变化关系，同时本文计算了有隔离层的调制掺杂异质结构（ＭＤＨ）中低温下（Ｔ＝４Ｋ）低场迁移率随隔离层厚度的变化关系。计算结果表明在低温下ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结构的低场迁移率可高达３ ×１０６ｃｍ２／Ｖｓ；对应ＧａＮ材料中不同的杂质浓度，应采用不同的隔离层厚度以获得较大的
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103746]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	姚微,曹俊诚,雷啸霖. AlGaN/GaN异质结2DEG载流子输运[J]. 功能材料与器件学报,1999(03).
APA	姚微,曹俊诚,&雷啸霖.(1999).AlGaN/GaN异质结2DEG载流子输运.功能材料与器件学报(03).
MLA	姚微,et al."AlGaN/GaN异质结2DEG载流子输运".功能材料与器件学报 .03(1999).