AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

	AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离
	程知群 ; 孙晓玮 ; 夏冠群 ; 李洪芹 ; 盛怀茂 ; 钱蓉
刊名	物理学报
	2000
期号	02
ISSN号	1000-3290
中文摘要	对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103745]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	程知群,孙晓玮,夏冠群,等. AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离[J]. 物理学报,2000(02).
APA	程知群,孙晓玮,夏冠群,李洪芹,盛怀茂,&钱蓉.(2000).AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离.物理学报(02).
MLA	程知群,et al."AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离".物理学报 .02(2000).