AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究

	AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究
	顾伟东 ; 夏冠群 ; 冯先根 ; 吴强 ; P.A.HoustonA
刊名	半导体学报
	1997
期号	10
ISSN号	0253-4177
中文摘要	本文采用深能级瞬态谱（DLTS）方法直接对Al0.3Ga0.22In0.48P／GaAs异质结双极型晶体管（HBT）的发射结（N－P+结）进行了测试，得到了N型AlGaInP发射区中的深能级的位置、俘获截面以及缺陷浓度．利用这些数据通过单一能级复合的Shockley－Read-Hall公式，计算了发射结空间电荷区（SCR）中的复合电流，探讨了深能级中心对HBT器件特性的影响．本文的理论分析方法可为研制高性能HBT器件所需的材料质量提高提供参考依据．
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103744]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	顾伟东,夏冠群,冯先根,等. AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究[J]. 半导体学报,1997(10).
APA	顾伟东,夏冠群,冯先根,吴强,&P.A.HoustonA.(1997).AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究.半导体学报(10).
MLA	顾伟东,et al."AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究".半导体学报 .10(1997).