20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射

	20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射
	王震遐 ; 朱福英 ; 陈文彪 ; 曹德新 ; 鲍正开 ; 周祖尧
刊名	核技术
	1986
期号	09
ISSN号	0253-3219
中文摘要	<正> 荷能离子对单元素的溅射已有较好的理论解释,但是对多元合金或化合物溅射的研究才开始不久,目前尚无一个能够成功地解释实验现象的理论。溅射后合金样品近表面组成的改变,是一种有趣的实验现象。实验中发现三元合金的现象比二元合金更为复杂,例如,元素的近表面改变与溅射离子的能量有关,这是用现有的择优溅射理论无法解释的。为研究这种现象,我们选取了Si(Co,Ta)三元合金,在分别用20到
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103682]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	王震遐,朱福英,陈文彪,等. 20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射[J]. 核技术,1986(09).
APA	王震遐,朱福英,陈文彪,曹德新,鲍正开,&周祖尧.(1986).20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射.核技术(09).
MLA	王震遐,et al."20—80keV Ar~+离子对稀释Si(Co,Ta)合金的溅射".核技术 .09(1986).