钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究

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	钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究
	曾建明 ; 王弘 ; 王民 ; 尚淑霞 ; 王卓 ; 程建功 ; 林成鲁
刊名	功能材料与器件学报
	1997
期号	02
ISSN号	1007-4252
中文摘要	本文报道了用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰＭＯＣＶＤ）法在Ｓｉ衬底上制备高质量的钛酸钡铁电薄膜。钡的β二酮螯合物［Ｂａ（ＤＰＭ）２］和异丙氧基钛（ＴＩＰ）作为金属有机源，在衬底温度为７０００Ｃ时，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的钛酸钡薄膜是多晶膜，表面光滑、平整。经快速退火（Ｔ＝７５００Ｃ）后，薄膜具有完全的［００１］取向，其介电常数（ε）为１０７。研究了衬底温度与薄膜的结晶性和取向性的关系；讨论了半导体衬底对钛酸钡铁电薄膜物理性质的影响；得到了薄膜的剩余自发极化强度（Ｐｒ）为２０μＣ／ｃｍ２，矫顽电场（
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103631]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	曾建明,王弘,王民,等. 钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究[J]. 功能材料与器件学报,1997(02).
APA	曾建明.,王弘.,王民.,尚淑霞.,王卓.,...&林成鲁.(1997).钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究.功能材料与器件学报(02).
MLA	曾建明,et al."钛酸钡铁电薄膜的常压MOCVD制备及其物理性质的研究".功能材料与器件学报 .02(1997).