| 杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响 | |
| 台鹏飞; 王柱; 李辉; 河裾厚男; 李兰婷; 黄远 | |
| 刊名 | 武汉大学学报（理学版）
 |
| 2015 | |
| 卷号 | 61期号:5 |
| 关键词 | 慢正电子束 正电子亲和能 离子注入 辐照损伤 |
| ISSN号 | 1671-8836 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3823252 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 台鹏飞,王柱,李辉,等. 杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响[J]. 武汉大学学报（理学版）,2015,61(5). |
| APA | 台鹏飞,王柱,李辉,河裾厚男,李兰婷,&黄远.(2015).杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响.武汉大学学报（理学版）,61(5). |
| MLA | 台鹏飞,et al."杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响".武汉大学学报（理学版） 61.5(2015). |
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