杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响 | |
台鹏飞; 王柱; 李辉; 河裾厚男; 李兰婷; 黄远 | |
刊名 | 武汉大学学报(理学版)
![]() |
2015 | |
卷号 | 61期号:5 |
关键词 | 慢正电子束 正电子亲和能 离子注入 辐照损伤 |
ISSN号 | 1671-8836 |
URL标识 | 查看原文 |
收录类别 | CSCD ; CNKI |
语种 | 中文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3823252 |
专题 | 武汉大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 台鹏飞,王柱,李辉,等. 杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响[J]. 武汉大学学报(理学版),2015,61(5). |
APA | 台鹏飞,王柱,李辉,河裾厚男,李兰婷,&黄远.(2015).杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响.武汉大学学报(理学版),61(5). |
MLA | 台鹏飞,et al."杂质的正电子亲和能对慢正电子束研究缺陷深度分布的影响".武汉大学学报(理学版) 61.5(2015). |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论