| 题名 | 多晶Ni-Cr衬底上双轴取向YSZ、CeO2薄膜的低能离子束辅助沉积及其生长研究 |
| 作者 | 毛应俊 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1998-11-01 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） |
| 导师 | 邹世昌 ; 柳襄怀 |
| 关键词 | 沉积技术 双离子 Ni-Cr合金 衬底 YSZ CeO< 3> 薄膜 |
| 学位专业 | 半导体与半导体器件物理 |
| 中文摘要 | 该文采用双离子源低能离子束辅助沉积技术在柔性多晶材料Ni-Cr合金衬底上合成了c轴单一取向、a,b轴平面排列有序的YSZ和CeO<,3>薄膜. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 72 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83939]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文（200年以前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛应俊. 多晶Ni-Cr衬底上双轴取向YSZ、CeO2薄膜的低能离子束辅助沉积及其生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海冶金研究所） . 1998. |
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