| 题名 | SOI材料的制备及纳米空腔吸杂 |
| 作者 | 吴雁军 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张苗 ; 林成鲁 |
| 关键词 | 绝缘层上的硅 纳米空腔 吸杂 智能剥离 注氧隔离 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 绝缘层上的硅(SOI)技术以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用，被誉为“21世纪的硅集成电路技术”。本论文围绕这一微电子领域发展的前沿课题，根据国家自然科学基金和上海市青年科技启明星项目的需要，主要进行了以下三个方面的研究：一、以氢、氦离子注入引起的纳米空腔吸除体硅和SOI材料中的Cu杂质；二、针对高压器件、MEMS等的需要制备了厚埋层的Smart-cut SOI材料；三、研究了以氢、氧离子共注入制备SOI材料的新方法，获得了如下的主要结果： 纳米空腔吸杂 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83309]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴雁军 . SOI材料的制备及纳米空腔吸杂[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
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