| 题名 | 基于压阻检测的双端固支硅纳米梁研究 |
| 作者 | 赵全斌 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 焦继伟 |
| 关键词 | 微纳机电系统 双端固支硅纳米梁 压阻检测 Ar离子注入 谐振特性 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | NEMS谐振器作为痕量传感器在生化检测等领域应用获得广泛关注，而纳米尺度下器件的谐振特性检测成为一个关键技术问题。在硅基谐振器特性的主要检测方法中，压阻检测方法因易于实现、易于与器件集成等优点而应用甚多，但是在纳米厚度的NEMS谐振器上形成压阻器件是实现压阻检测的一个挑战。本文工作主要探索硅纳米谐振器上压阻检测的实现方法，以促进器件的实际应用。 本文创新性地提出利用Ar离子选择性注入纳米厚度的双端固支硅纳米梁，以形成压阻器件的技术方案。其基本原理是，注入的高能量Ar离子，破坏了硅梁单侧的原子结构，形成纳米 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83276]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵全斌 . 基于压阻检测的双端固支硅纳米梁研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
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