| 题名 | 先进集成电路中静电保护设计的研究 |
| 作者 | 单毅 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 静电放电 复合型 NMOS 可控硅整流器 全芯片保护 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 长期以来，静电放电（ESD）问题一直是集成电路（IC）产业中一个相当严重的可靠性问题，而ESD保护的设计也一直是IC设计中的一个难点，在这一研究领域国内外的差距很大。随着工艺技术的进步，ESD保护的需求也越来越高，但设计难度却越来越大。如何开发出更好的ESD设计方法来指导工业生产、如何为各种不同的IC产品提供更好的ESD保护、如何突破国外在这一领域的专利壁垒，这是一个学术价值与市场价值兼备的课题。 本文提出了一种新型ESD保护设计方法，它以创新的“复合型ESD仿真”为核心，将工艺、器件、电路等仿真有机地结 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83200]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 单毅. 先进集成电路中静电保护设计的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
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