| 题名 | FD SIMOX SOI材料的总剂量辐射加固机理及加固技术研究 |
| 作者 | 毕大炜 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 邹世昌 |
| 关键词 | 全耗尽 SOI Pseudo－MOS 总剂量辐射 硅纳米晶体 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 在抗辐射领域应用SOI 技术需要解决的主要问题之一就是对SOI 材料的 BOX 层进行加固以增强SOI 材料及器件的抗总剂量辐射能力。本文结合目前SOI 技术向超深亚微米尺度发展的趋势，对FD SIMOX SOI 材料的总剂量辐射加固机 理和加固技术进行了系统全面的研究，为SOI 抗辐射电路的设计制造打下材料基 础。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83173]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毕大炜. FD SIMOX SOI材料的总剂量辐射加固机理及加固技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论