| 题名 | 水等离子体离子注入形成SOI结构材料的研究 |
| 作者 | 陈静 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2002 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 王曦 |
| 关键词 | 绝缘体上的硅（SOI） 离子注入 等离子体 注氧隔离（SIMOX） |
| 学位专业 | 材料物理与化学 |
| 中文摘要 | 绝缘体上的硅(SOI)技术以其独特的结构在低压、低功耗电路，高温、抗辐照器件以及集成光电子器件方面有着广泛的应用。1998年IBM公司首次使用SOI技术成功制造出微处理器等高性能芯片标志着SOI材料从军用向大规模商业应用的转折。目前制约SOI技术商业应用的重要因素之一是SOI圆片过低的产量和过高的价格，主要原因是使用传统线扫描式离子注入机需要很长时间才能达到所需的注入剂量(10~(17)～10~(18)cm~(-2))。等离子体离子注入(PⅢ)技术由于其强束流和大面积注入方式而有希望在SOI材料制备方面获 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82969]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈静 . 水等离子体离子注入形成SOI结构材料的研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2002. |
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