| 题名 | GaInP/GaAs HBT及其振荡器相位噪声特性研究 |
| 作者 | 车延锋 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2003 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 孙晓玮 |
| 关键词 | GaInP/GaAs HBT 双推振荡器 小信号等效电路模型 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文主要研究了影响振荡器相位噪声的主要因素，并且提出改善振荡器相位噪声性能的方法。主要研究内容包括： 一、根据振荡器相位噪声模型，得出了影响振荡器相噪性能的两个主要因素：构成振荡器的有源器件的相位噪声性能和振荡器谐振器的品质因数。然后比较了GalnP／GaAs HBT与其它器件的相噪特性。 二、完成了GalnP／GaAs HBT工艺流片，研究了流片过程中的几个关键工艺，给出了器件直流和交流测试结果。 三、提出了一种简单有效的HBT小信号等效电路参数提取方法，避免了复杂的数学优化过程和设计专门的测试结构。同 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82753]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 车延锋 . GaInP/GaAs HBT及其振荡器相位噪声特性研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2003. |
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