| 题名 | InAs/GaSb二型超晶格红外探测器材料分子束外延生长研究 |
| 作者 | 李健 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 龚谦 |
| 关键词 | 分子束外延 锑化物 超晶格 红外探测器 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | InAs/GaSb II型超晶格材料具有很多不可替代的优点，是制备新一代(第三代)红外探测器的关键材料。目前有欧美少数发达国家正在研究该体系材料，其中以美国空军实验室和德国法兰霍费研究所为代表。本学位论文重点研究了采用气态源分子束外延(GSMBE)生长InAs/GaSb II型超晶格红外探测器材料。并通过X射线衍射(XRD)，透射电子显微镜(TEM)等手段测试表征外延材料，利用所得到的材料参数优化生长条件，尤其是针对不同厚度的InSb界面对材料性质的影响做了比较详细的探索。取得主要研究结果如下：国际上首次 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 71 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82681]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李健. InAs/GaSb二型超晶格红外探测器材料分子束外延生长研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
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