| 题名 | 低维半导体能带计算及可调谐太赫兹源研究 |
| 作者 | 郭旭光 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2006 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 曹俊诚 |
| 关键词 | 半导体低维结构 平面磁场 Monte-Carlo模拟 THz辐射源 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本文中我们主要研究了在电场和磁场作用下几种半导体低维结构的能带结构、光学性质和电子动力学行为，并提出了一种可能的可调谐THz辐射源理论设计方案。本文的主要内容和结论如下： 1．研究了一种包含稀磁半导体材料的三对称耦合量子阱在磁场下的带间激子吸收行为。结果表明磁场可以有效的调节激子吸收谱和量子阱间的耦合；在较低磁场下，其引入的限制势对激子吸收谱的主要特性的影响可以忽略。 2．研究了GaAs／(Al,Ga)As纳米环耦合双量子阱在外加径向和横向电场下的带间激子吸收谱。在不同径向电场下的纳米环耦合量子阱的激子吸 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82574]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭旭光 . 低维半导体能带计算及可调谐太赫兹源研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2006. |
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