Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响
李铁 ; 沈鸿烈 ; 沈勤我 ; 李冠雄 ; 邹世昌
1999-02
会议名称第五届全国STM学术会议论文集
会议日期1999-02
中文摘要本文利用原子力显微镜对具有不同厚度 Ni 过渡层的 Co 5.0nm/Cu 3.5nm/Co 5.0nm 三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合 X 射线衍射的结果,发现 Ni 过渡层可以使 Co/Cu/Co 三明治的界面平整,并形成强的(111)织构,从而导致材料的巨磁电阻值增大和矫顽力减少。电阻率的分析则表明过厚的 Ni 过渡层由于分流效应的存在会削弱材料的巨磁电阻值。
会议录第五届全国STM学术会议论文集
会议录出版者中国电子显微镜学会
语种中文
内容类型会议论文
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56650]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李铁,沈鸿烈,沈勤我,等. Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响[C]. 见:第五届全国STM学术会议论文集. 1999-02.
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