利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文) | |
俞文杰 ; 张正选 ; 贺威 ; 田浩 ; 陈明 ; 王茹 ; 毕大炜 | |
2007-11 | |
会议名称 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2) |
会议日期 | 2007-11 |
中文摘要 | 研究采用硅离子注入及高温退火的方法对 SOI 材料进行抗辐射加固.通过对比发现,制作在加固 SOI 衬底上的 NMOS 器件和 CMOS 反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低.陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理.结合实验结果和理论分析,证明硅离子注入能有效地加固 SOI 材料的抗辐射性能. |
会议录 | 第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2)
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会议录出版者 | 国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56578] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞文杰,张正选,贺威,等. 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集(2). 2007-11. |
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