利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)

	利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)
	俞文杰 ; 张正选 ; 贺威 ; 田浩 ; 陈明 ; 王茹 ; 毕大炜
	2007-11
会议名称	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）
会议日期	2007-11
中文摘要	研究采用硅离子注入及高温退火的方法对 SOI 材料进行抗辐射加固．通过对比发现,制作在加固 SOI 衬底上的 NMOS 器件和 CMOS 反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低．陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理．结合实验结果和理论分析,证明硅离子注入能有效地加固 SOI 材料的抗辐射性能．
会议录	第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）
会议录出版者	国家仪表功能材料工程技术研究中心、中国仪器仪表学会仪表材料学会、重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56578]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	俞文杰,张正选,贺威,等. 利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能(英文)[C]. 见:第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）. 2007-11.