Si~+和Si~++P~+注入InP的辐射损伤的研究

	Si~+和Si~++P~+注入InP的辐射损伤的研究
	徐宏来 ; 沈鸿烈 ; 周祖尧 ; 杨根庆 ; 邹世昌
	1992
会议名称	首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议日期	1992
中文摘要	本文报道了Si~+以及Si~++P~+共注入<100>InP的RBS和Raman谱的分析结果。应用LO声子的S.C模式(Spatial Correlation Mode),用相干长度表征了InP的离子注入损伤。发现热靶注入的晶格损伤明显小于室温下的注入损伤。这对于高剂量的离子注入有着重要意义。
会议录	首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议录出版者	中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56570]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	徐宏来,沈鸿烈,周祖尧,等. Si~+和Si~++P~+注入InP的辐射损伤的研究[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992.