Si~+和Si~++P~+注入InP的辐射损伤的研究 | |
徐宏来 ; 沈鸿烈 ; 周祖尧 ; 杨根庆 ; 邹世昌 | |
1992 | |
会议名称 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集 |
会议日期 | 1992 |
中文摘要 | 本文报道了Si~+以及Si~++P~+共注入<100>InP的RBS和Raman谱的分析结果。应用LO声子的S.C模式(Spatial Correlation Mode),用相干长度表征了InP的离子注入损伤。发现热靶注入的晶格损伤明显小于室温下的注入损伤。这对于高剂量的离子注入有着重要意义。 |
会议录 | 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
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会议录出版者 | 中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 会议论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56570] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐宏来,沈鸿烈,周祖尧,等. Si~+和Si~++P~+注入InP的辐射损伤的研究[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992. |
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