SF_6/CCl_2F_2中加O_2反应离子深刻蚀Si

	SF_6/CCl_2F_2中加O_2反应离子深刻蚀Si
	姜建东 ; 孙承龙 ; 王渭源 ; 陈芬扣 ; 叶树萍 ; 王德宁
	1992
会议名称	首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议日期	1992
中文摘要	采用SF_6/CCl_2F_2/O_2气体,在平板型反应离子刻蚀仪上,进行了硅的反应深刻蚀研究。用Cr作掩膜,获得了各向异性刻蚀结果,硅台阶高度T=10μm,台阶倾斜角小于5°,横向腐蚀约0.5μm,刻蚀表面粗糙度约10%。用这种工艺,还刻蚀出直径为500μm,厚为10μm的硅齿轮。
会议录	首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
会议录出版者	中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56548]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	姜建东,孙承龙,王渭源,等. SF_6/CCl_2F_2中加O_2反应离子深刻蚀Si[C]. 见:首届中国功能材料及其应用学术会议论文集. 1992.